Технологическая война между крупными компаниями хранения данных усиливается
Такие приложения, как искусственный интеллект и большие данные, создали спрос на большие объемы данных, а также выдвинули более высокие требования к технологиям хранения. На этом фоне усилилась технологическая конкуренция среди крупных производителей систем хранения данных.
Что касается флэш-памяти, крупные производители уделяют особое внимание увеличению количества слоев. Недавно корейские СМИ сообщили, что Samsung Electronics, как ожидается, начнет массовое производство флэш-памяти V-NAND девятого поколения в конце этого месяца. -производство флэш-памяти V-NAND девятого поколения. Флэш-память V-NAND девятого поколения будет по-прежнему использовать структуру стека двойной флэш-памяти, а количество слоев достигнет 290. Согласно отраслевым прогнозам, количество слоев V-NAND десятого поколения Samsung в будущем достигнет 430, и тогда Samsung перейдет на трехстековую структуру.
В более отдаленном будущем два производителя, Samsung и Kioxia, объявили, что будут работать над 1000-слойной флэш-памятью. Samsung планирует создать 1000-слойную флэш-память NAND к 2030 году, а Kioxia планирует начать массовое производство более 1000-слойных чипов 3D NAND Flash к 2031 году.
Что касается памяти, основные производители систем хранения данных ориентируются на передовые технологические узлы и 3D DRAM.
В марте этого года компания Micron сообщила в своем финансовом отчете, что подавляющее большинство частиц DRAM в настоящее время находится в усовершенствованных узлах 1α и 1β. Следующее поколение 1γ DRAM будет внедрено в машины для литографии EUV и уже произведено в опытных целях.
Технология чипов DRAM от Samsung находится на уровне 1 млрд нм. Недавние сообщения в средствах массовой информации указывают на то, что Samsung планирует начать массовое производство 1c нм DRAM в этом году и будет использовать для ее производства технологию крайнего ультрафиолета (EUV). Samsung также вступит в эру 3D DRAM в 2025 году. Компания уже продемонстрировала две технологии 3D DRAM: транзисторы с вертикальным каналом и многослойную DRAM.
SK Hynix также представляет 3D DRAM. BusinessKorea ранее сообщала в прошлом году, что SK Hynix предложила IGZO в качестве канального материала нового поколения для 3D DRAM. По словам представителей отрасли, IGZO представляет собой металлооксидный материал, состоящий из оксидов индия, галлия и цинка. Самым большим преимуществом IGZO является низкое энергопотребление в режиме ожидания. Эта функция подходит для транзисторов с ядром DRAM, которым требуется длительный срок службы батареи. Этого можно легко добиться, регулируя соотношение In, Ga и ZnO в составе.